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以超高真空化學束磊晶系統成長氮化銦薄膜對結構特性之研究

（molecular beam epitaxy）系統（MBE system）之後，氮化. 銦材料的能隙被下修至約0.7 eV 左右（圖1）， ... 容易的，因為氮化銦材料裂解溫度偏低，而一般磊晶製程溫.

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