你即將離開本站

並前往http://ep.org.cn/CN/article/downloadArticleFile.do?attachType=PDF&id=716

商用0.18 um CMOS 工艺抗总剂量辐射性能研究

随着器件特征尺寸的. 减小,STI隔离已经逐步替代了LOCOS 隔离,然而总. 剂量辐射损伤 ... CMOS 器件Coy 射线、电子和质. 子电离辐射损伤比较[J]物理学报,2006,55(7):. 3546 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「locos sti比較」的人也找了：

  1. Shallow trench isolation
    2.
  2. LOCOS STI
    3.
  3. locos鳥嘴效應
    4.
  4. shallow trench isolation中文
    5.
  5. STI liner oxide
    6.
  6. shallow trench isolation解釋
    7.
  7. Inter layer dielectric and ild
    8.
  8. CMOS
    9.