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半導體結構之製作方法

又,由於LOCOS. 方法所產生之場氧化層會佔據較大的體積,而影響整個半導體晶片. 的積 ... 一般來說,現行製作的STI的方法包括先在晶片表面的各MOS. 元件間製作一溝渠。接著再 ...

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