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集成电路工艺原理相关试题

14． 选择性氧化常见的有（ 局部氧化）和（ 浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（ STI ）。 ... （ √ ） 33． 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较 ...

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