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加热工艺（四） « 技术资讯 - 射频君的原创及分享哦

... STI)形成时作为氮化硅的衬垫层。 ... STI形成的表面也比较平坦。20世纪90年代中期，当元器件图形尺寸缩小到0．35以下时，STI技术逐渐取代了LOCOS隔离技术。

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