随着器件向深亚微米发展,改进的LOCOS结构仍有应力和鸟嘴问题,并存在场氧减薄效应,于是出现了STI(shallow trench isolation浅沟槽隔离)隔离技术,在0.25μm及以下技术 ...
確定! 回上一頁