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高溫水平爐管2 - 國立中興大學-光電半導體製程中心

儀器概述 · 當所需氧化層厚度很厚，且對氧化層電性要求不高時，濕式氧化法氧化速率較快，可節省製程時間，主要的應用如LOCOS 的Field Oxide(5500Å)。Si + H2O -> SiO2 + 2H2.

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