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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 362 頁 - Google 圖書結果

另外在低耗能的要求下,檢視 SRAM 的漏電來源,大致可從元件的 Ioff, Ig,STI 及 well 的 isolation 如 P+to P+,N+to N+ 以及接面漏電(junction leakage)的產生, ...

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