讀者可以和BJT的操作原理比較,JFET 的夾. 止區和BJT的基極與集極間的空乏區特性很類似。 圖7是對於不同VGS 的ID 對VDS 圖。線性區與飽和區的分界電壓VDSS(=VGS-Vp).
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