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實驗儀器 - 中央研究院物理研究所

原理 為使用氣體電漿撞擊濺鍍源，使濺鍍源分子受電磁場吸附在被鍍物上，可再由渦輪幫浦抽至2×10 -7 torr下進行離子濺鍍和蝕刻(ion milling)。

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