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絕緣閘雙極電晶體- IGBT - 產業分析

IGBT 矽片的結構與功率MOSFET的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩衝層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)， ...

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