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IGBT和MOSFET的正向特性比较 - 东芝半导体

另一方面，IGBT在大电流区的正向电压特性优于MOSFET，如图3-17所示。由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，IGBT和MOSFET的性能差异随着温度的升高而 ...

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