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igbt mosfet差異
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IGBT功率模組之接合材料發展趨勢 - 材料世界網
IGBT 功率元件的市場需求持續成長,並且伴隨寬能矽半導體材料(如碳化矽) ... 的團隊提出封裝模組損壞主要是因為熱膨脹係數(CTE)差異造成的應力,最終 ...
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