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IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體） - 功率半導體元件的特色 - ROHM

IGBT 是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件，採用複合式構造，除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外，也是同時具備低飽和電壓（相當於功率MOSFET ...

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