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【IEDM】东芝和NEC开发成功MRAM大容量技术_搜狐IT

为了降低写入电流，两公司此次将过去为长方形的TMR元件，改变成了在长方形的长边上形成半圆形突起的形状。这样一来，即使将写入电流降低到原来的1/2以下，也能稳定地工作。

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