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三星在IEDM上宣布:DRAM工藝可達10nm - 壹讀
還有一個課題。三星曾表示,連接到單元上的位線寄生電容(Cb)隨著微細化,相對於Cs變大,DRAM電容器的電荷量越來越難以準確測量。因此,業內認為20nm工藝 ...
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