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三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達10nm - 壹讀

還有一個課題。三星曾表示，連接到單元上的位線寄生電容（Cb）隨著微細化，相對於Cs變大，DRAM電容器的電荷量越來越難以準確測量。因此，業內認為20nm工藝 ...

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