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可见光通信新型发光器件原理与应用 - Google 圖書結果

之后,应用电感耦合反应离子刻蚀( ICP - RIE ) LED 外延层进行干法刻蚀,刻蚀深度为 570 ~ 610 nm 。残余的聚苯乙烯纳米球和二氧化硅中间掩膜分别用丙酮溶液和 5 %的氢氟 ...

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