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VCSEL 技術原理與應用 - 第 177 頁 - Google 圖書結果

如此一來作為蝕刻保護層的介電質材料(SiO 2 )就無需成長較厚的厚度,通常採用 ICP-RIE 進行面射型雷射蝕刻製程僅需 0.4 微米厚度的 SiO2 即足夠抵擋 ICP-RIE 進行面射型 ...

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