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氮化鎵感應耦合電漿(ICP-RIE)蝕刻之研究

此外我們也介紹感應耦合電漿活性離子蝕刻(ICP-RIE)的工作原理及比較乾濕蝕刻的不同。研究的結果:在蝕刻速率的表現上，目前最大的蝕刻速率可達5240A /min (Cl2:Ar=35:5 ...

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