你即將離開本站

並前往https://beeway.pixnet.net/blog/post/25822242

電漿的基礎原理www.tool-tool.com

蝕刻 和CVD兩製程都希望在低壓下能得到高密度的電漿。 ○ICP和ECR是最普遍的高密度電漿源。 ○CP和ECR電漿源都能夠單獨控制離子的轟擊流通量和能量。 離子佈植.

確定！ 回上一頁

查詢 「icp蝕刻原理」的人也找了：

  1. icp原理
    2.
  2. 電漿蝕刻原理
    3.
  3. 反應離子蝕刻原理
    4.
  4. 乾蝕刻濕蝕刻ptt
    5.
  5. 蝕刻製程ppt
    6.
  6. rie原理
    7.
  7. ICP RIE
    8.
  8. 乾蝕刻設備
    9.