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基座冷卻結構設計及其在電漿蝕刻製程之應用

[2] 李世鴻， “半導體工程原理” ，全威圖書 (1997). ... 溫度0°C時，基座溫度可以降低至60°C，而從電漿參數改變顯示，ICP功率所產生的熱能對基座冷卻影響能力最強。

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