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使用感應式耦合電漿反應式離子蝕刻系統蝕刻氮化矽與氮化鈦

在乾蝕刻氣體CHF3/O2的流量為20/10 SCCM的情況下得到了高達9的SixNy對TiN選擇比。 ... 論文中除了詳細描述蝕刻過程外，也介紹了各成長系統原理及電漿物理、蝕刻反應。

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