感應耦合型電漿(Inductively coupled plasma, ICP). ,第二章感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HFET. 本章我們將介紹氮化鎵之基本材料性質、閘極掘入工作原理與電漿蝕刻基.
確定! 回上一頁