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i-line曝光機
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半导体光刻工艺及光刻机全解析
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):. I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度 ...
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