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半導體製程用濕式化學品的發展趨勢

G-line光阻劑隨著機器之汰換而退出半導體製程，再加上I-line光阻劑的應用臨界在0.3μm ... 的晶圓上佈植更多電路圖案，惟有追求更細微的線寬，並朝向愈短曝光波長發展。

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