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用于低压MOSFET（12V-300V）的高精度SPICE模型

我们的FP-MOSFET专用SPICE模型与功率MOSFET中常见的ID-VGS特性的大电流区域内的饱和特性不匹配。另一方面，从图3(a)和(b)中可以看出，我们的SPICE模型具有更高的再现性， ...

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