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相變化記憶體HSPICE 模型 - 國立宜蘭大學

此論文是把相變化記憶體的特性，利用HSPICE 軟體建立模型；相變化記憶體是Ge2Sb2Te5. 所構成，由輸入電流脈波高低，會 ... 會和以往有所不同，例如MOS 出現碰撞游離效.

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