由於本電路中MOS 電晶體操作於弱反轉區,. 因此其功率消耗非常低,經由HSPICE 以N-well. 0.35 微米2p4m 製程模擬顯示,當供應電壓為1.5 V. 的情況下,輸入範圍約150 mV, ...
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