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相變化記憶體HSPICE 模型

會和以往有所不同，例如MOS 出現碰撞游離效. 應、短通道效應等，未來要求有更高的 ... 參數設定：. PCM 模型各項與實際元件有關的參數如表1. 所示，各項參數設定對應曲線 ...

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