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MOSFET单事件效应的LET依赖模型,Journal of Computational ...

... 并旨在建立一个HSPICE子电路模型，其中包含设备的电气特性与事件LET的 ... 有了这样的模型，可以通过HSPICE仿真确定具有不同电路级LET的入射离子 ...

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