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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k /metal gate實用化的最大 ...

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