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原子層沉積系統(ALD)技術資料

在high-k/metal-gate 元件的製程發展中，閘極介電層(dielectric)與元件通道的. 介面品質是影響元件特性的重要因素。在bulk-Si FinFET 平台的應用中，建議必. 須在HfO2 沉積 ...

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