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High k/metal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度研究The ...

隨著MOSFET 尺寸不斷的微縮，氧化層厚度越作越薄，以藉以提昇電晶體的. 效能，而當製程技術達到45nm 以下，則勢必等效氧化層厚度則必須等於或小於. 1.1nm，而此要求則會 ...

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