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High-k/Metal Gate/SiGe channel奈米製程於金氧半場效應電 ...

在這項研究中，使用應變矽技術於高介電係數(High-k)和金屬閘極(Metal gate)與SiGe-channel奈米製程於金氧半場效應電晶體(Metal-oxide-semiconductor field-effect ...

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