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高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究

就元件的演進，甚至從元件取代材料著手，目前已知把氧化層材料由原先的二氧化矽氧化層，. 改為使用High－κ 材料，即高介電絕緣層，更能降低閘極漏電流、改善次臨界擺幅.

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