此外,元件堆疊中的金屬閘和高介電值(high-k)材料也需要先進的多層薄膜蝕刻能力。先進的晶片設計會同時出現如凹陷通道(recessed channel) 和3D閘極電晶體,以及傳統 ...
確定! 回上一頁