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高介電常數氧化鑭鉿金氧半結構元件之電性分析與研究

相較於二氧化矽的物理結構，高介電常數的材料特性可以形成更薄的絕源層， ... 本論文的實驗重點是將完成的MIS（TaN high-k silicon）元件分別以不同的爐管溫度（400℃ ...

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