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當年度經費： 677 千元 - 政府研究資訊系統GRB

為了改善金氧半元件之電特性，堆疊high-k 介電層及Si/SiGe 通道之最佳氮佈植量與退火處理，為本研究計畫之主要研發目標。快. 4. 電漿浸沒注入技術應用於提昇半導體材料 ...

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