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於鍺基板上以原子層化學氣相沉積鍍製氧化鑭

高速通道材料Ge由於其原生氧化物的不穩定，使得Ge/high-κ之界面性質無法與Si相比擬，因此本 ... 可降至8.17 × 1011 cm-2，相較於其他種類之薄膜，電性表現最佳。

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