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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

在多數技術人員中具有高度評價的是被稱為「雙重(dual) high-k」的MOS FET臨界電壓的控制手法，其具體作法是在nMOS和pMOS的metal gate和high-k膜界面附近， ...

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