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第章研究動機- chamber 半導體

表3 21半導體製程主要使用的的氣體性質及TLV TWA86. 表及HFC 停留在大氣的時間與Chamber之表面，造成微粒Particle之污染，而降低良率; 般半導體廠均是用物理氣相沈積法 ...

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