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关于碳掺杂GaN 中供体/受体补偿比的建模

用碳(C) 杂质有意掺杂横向GaN 功率高电子迁移率晶体管(HEMT) 是降低缓冲 ... 此外，第一性原理计算和实验证据表明，C 引入了受体和供体类型的陷阱能级。

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