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苏州纳米所在GaN HEMT器件研究上取得进展 - RF技术社区

由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点，GaN HEMT成为新一代 ... 上述研究工作得到了国家重大科学仪器设备开发项目等的大力支持。

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