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一种新的GaAs PHEMT 器件可靠性评估方法研究 - 物理学报

HEMT 的结构与工作原理同MESFET（metalB semiconductor fieldBeffect transistor）是相似的. HEMT. 优于MESFET 的关键所在是导电沟道不掺杂，导电.

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