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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作與特性之分析

高電子遷移率電晶體(HEMT)的高崩潰電壓可以承受十伏甚至上百伏的電壓。和砷化鎵、碳化矽或矽材料製作的元件相較. ，雖然砷化鎵有較高的電子遷移率，但是砷化鎵在低電場 ...

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