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驛暘電子有限公司- 最新消息

氮化鋁鎵/氮化鎵半導體作為高電子遷移率電晶體(HEMT)時，相較於傳統以矽為主的 ... 因串疊後氮化鎵具有與MOSFET功率元件相同工作原理，可直接替置現行 ...

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