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CN102629624A - 基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法

然而十几年来针对GaN基电子器件研究的大部分工作集中在耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件 ... 本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和 ...

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