在操作上常以H2SO4:H2O2=2~4 : 1體積比,在130℃的高溫下進行10~15分鐘的浸泡。 HF(BOE), 清除矽晶圓表面自然生成的氧化層,可使用稀釋後的氫氟酸(0.49%~2%)或氫氟酸 ...
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