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gan mosfet缺點
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帶你瞭解第三代半導體——氮化鎵
GaN 的禁頻寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度遠遠大於Si 和GaAs ... 缺點:生長完畢後需要進行退火處理,最後得到的薄膜可能會存在裂紋,會 ...
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