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[新聞] 電動車電池新半導體材料GaN和SiC誰將勝出
其實,SiC與GaN皆屬於第三代寬能隙WBG材料,各有優缺點。 碳化矽SiC材料方面以SiC來說,碳化矽結合MOSFET不僅可以做得更薄、能耗更小,且可耐1200V ...
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